Цель: Изучить основные свойства детекторов АМ сигнала.
1. Снять детекторную характеристику I = f(Um).

 

UВХ, В

0,5

1

2

В10-3

I=, мА

0,02

0,069

0,2

В10-2

I=, мА

0,045

0,59

1,2

2. Измерить коэффициент передачи АД.

3. Снять частотную характеристику детектора.

 

F,кГц

0,05

0,2

0,3

0,4

0,6

0,8

1

3

5

10

В6-1

UвыхF, мВ

260

270

270

270

270

270

270

270

270

270

В6-2

UвыхF, мВ

150

180

140

160

160

160

160

160

160

130

4. Исследование диодного АД в режиме слабого сигнала.
UГСВ = 10 (мВ), f = 415 (кГц), UВЫХ1 = 90 (мВ), F = 1000 (Гц), М = 30%

UГСВ, мВ

0

4

5

10

20

UВЫХ1, мВ

1

42

52

92

200

UВЫХ3, мВ

1

14

17

55

270

4. Исследование [...]

Цель: Изучить основные свойства преобразователей частоты транзисторных супергетеродинных радиоприёмников.
1. Исследование каскада в усилительном режиме.
fПЧ = 440 (кГц), UВХ = 5,8 (мВ), UВЫХ2 = 10 (мВ), UВЫХ3 = 120 (мВ).
К1 = 2, К2 = 12
1.1. Измерение АЧХ каскада.
UВХ = 5,8 (мВ)

f, кГц

410

420

430

440

445

450

460

UВЫХ3,мВ

2

2

35

110

18,5

6

2

1.2. Измерение ВАХ каскада.
fПЧ = 440 (кГц), UВХ = 5,8 (мВ), UВЫХ3 = 110 (мВ).

IЭ, [...]

Цель: Изучить схемы полосовых усилителей на биполярных транзисторах и исследовать их основные характеристики.
I. Исследование одноконтурного каскада ПУ.
1. Измерение полосы пропускания.
Uвх=10 (мВ), f=400 (кГц)
Uвых=0,68 (В)

Уровень

Uвых, мВ

fmin, кГц

fmax, кГц

0,1

680

375

430

0,7

680

392

410

Uвх=10 (мВ), f=392 (кГц)
Uвых=0,54 (В)

Уровень

Uвых, мВ

fmin, кГц

fmax, кГц

0,1

540

308

525

0,7

540

384

412

2. Зависимость К0 и f0 от величины ёмкости СН в цепи нейтрализации.
Uвх=10 (мВ)

В2

1

2

3

4

5

f0, кГц

392

400

402

406

410

K0

54

55

55

56

56,5

Uвых, мВ

540

550

550

560

565

3. Характеристика частотной зависимости напряжения на входе транзистора [...]

Цель: Изучить варианты схем усилителей радиосигналов (УРС) на биполярных транзисторах и исследовать их основные характеристики.
I. Исследование резонансного каскада УРС.
1. Зависимость резонансного коэффициента усиления от частоты настройки УРС.

Uвх=10мВ

Iк, мА

С12-«180°»

С12-«90°»

С12-«0°»

f0мин

К0

f0ср

К0

f0макс

К0

В2-1

0,54

450кГц

11

680кГц

16

1,3МГц

30

В2-2

1,2

450кГц

25

680кГц

40

1,3МГц

80

2. Нормированная резонансная характеристика УРС.

 

Uвых, мВ

100

90

80

70

50

30

В5-4

f, кГц

1300

1290

1280

1275

1265

1230

В5-3

f, кГц

1200

1117

1116

1114

1112

1050

3. Зависимость коэффициента усиления от коэффициента включения при фиксированной настройке УРС.

Uвх=10мВ

mвкл2

f0, кГц

В5

4

3

2

1

mвкл1сл

0,08

0,2

0,5

1,0

В4-2

0,2

550

К0

8

15

14

11

С12

120°

110°

90°

50°

В4-1

0,2

470

К0

6

14,5

22,5

20,5

С12

120°

110°

90°

30°

4. Измерение селективности УРС и преселектора по зеркальному каналу.
Uвх=20 мВ [...]

Цель работы: изучить принципы построения схем и основные свойства транзисторных усилителей и детекторов радиоимпульсных сигналов. Приобрести практические навыки в лабораторном исследовании таких устройств.
1.Исследование усилителя с одиночными настроенными в резонанс контурами
1.1. Измерение резонансного коэффициента усиления и амплитудно-частотных характеристик усилителя.
Uвх = 1 (мВ); f0 = 1 (МГц); fm = 1 (кГц)

n

каскадов

Uвых/Uвых
max

0,2

0,7

1

0,7

0,1

П0,7

П0,1

КПР

1

f,
МГц

0,328

0,67

0,85

1,12

2,3

0,45

1,972

4,4

2

f,
МГц

0,46

0,79

0,9

1,14

1,95

0,35

1,49

4,25

3

f,
МГц

0,56

0,85

0,95

1,4

1,65

0,55

1,09

2

1.2. Измерение времени установления [...]