Цель: Изучить схемы полосовых усилителей на биполярных транзисторах и исследовать их основные характеристики.
I. Исследование одноконтурного каскада ПУ.
1. Измерение полосы пропускания.
Uвх=10 (мВ), f=400 (кГц)
Uвых=0,68 (В)

Уровень

Uвых, мВ

fmin, кГц

fmax, кГц

0,1

680

375

430

0,7

680

392

410

Uвх=10 (мВ), f=392 (кГц)
Uвых=0,54 (В)

Уровень

Uвых, мВ

fmin, кГц

fmax, кГц

0,1

540

308

525

0,7

540

384

412

2. Зависимость К0 и f0 от величины ёмкости СН в цепи нейтрализации.
Uвх=10 (мВ)

В2

1

2

3

4

5

f0, кГц

392

400

402

406

410

K0

54

55

55

56

56,5

Uвых, мВ

540

550

550

560

565

3. Характеристика частотной зависимости напряжения на входе транзистора [...]

Цель: Изучить варианты схем усилителей радиосигналов (УРС) на биполярных транзисторах и исследовать их основные характеристики.
I. Исследование резонансного каскада УРС.
1. Зависимость резонансного коэффициента усиления от частоты настройки УРС.

Uвх=10мВ

Iк, мА

С12-«180°»

С12-«90°»

С12-«0°»

f0мин

К0

f0ср

К0

f0макс

К0

В2-1

0,54

450кГц

11

680кГц

16

1,3МГц

30

В2-2

1,2

450кГц

25

680кГц

40

1,3МГц

80

2. Нормированная резонансная характеристика УРС.

Uвых, мВ

100

90

80

70

50

30

В5-4

f, кГц

1300

1290

1280

1275

1265

1230

В5-3

f, кГц

1200

1117

1116

1114

1112

1050

3. Зависимость коэффициента усиления от коэффициента включения при фиксированной настройке УРС.

Uвх=10мВ

mвкл2

f0, кГц

В5

4

3

2

1

mвкл1сл

0,08

0,2

0,5

1,0

В4-2

0,2

550

К0

8

15

14

11

С12

120°

110°

90°

50°

В4-1

0,2

470

К0

6

14,5

22,5

20,5

С12

120°

110°

90°

30°

4. Измерение селективности УРС и преселектора по зеркальному каналу.
Uвх=20 мВ [...]